Wissen Was sind die Spezifikationen des Vakuumsystems in PECVD-Anlagen?Hauptmerkmale für eine qualitativ hochwertige Abscheidung
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Technisches Team · Kintek Furnace

Aktualisiert vor 4 Tagen

Was sind die Spezifikationen des Vakuumsystems in PECVD-Anlagen?Hauptmerkmale für eine qualitativ hochwertige Abscheidung

Das Vakuumsystem in PECVD-Anlagen (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der für die Dünnschichtabscheidung erforderlichen Niederdruckumgebung.Zu den wichtigsten Spezifikationen gehören ein KF40-Ansauganschluss und ein G1-Zoll-Abgasanschluss mit Abgasgeschwindigkeiten von 60 l/s für Stickstoff und 55 l/s mit einem Schutznetz.Das System verwendet keramische Lager mit Fettschmierung, Zwangsluftkühlung und arbeitet mit 69.000 U/min.Es verfügt über eine Molekularpumpensteuerung TC75 und eine zweistufige Drehschieber-Vakuumpumpe mit 160 l/min Auslassgeschwindigkeit.Das Verdichtungsverhältnis beträgt 2x10^7 für N2 und 3x10^3 für H2 bei einem maximal zulässigen Gegendruck von 800 Pa und einer Lagerlebensdauer von 20.000 Stunden.Die Anfahr- und Abschaltzeiten betragen 1,5-2 Minuten bzw. 15-25 Minuten.Diese Spezifikationen gewährleisten einen effizienten und stabilen Betrieb, der für eine hochwertige Schichtabscheidung bei Anwendungen wie der Halbleiterherstellung und optischen Beschichtungen entscheidend ist.

Die wichtigsten Punkte erklärt:

  1. Anschlusskonfigurationen und Auslassgeschwindigkeiten

    • KF40-Sauganschluss und G1-Zoll-Auslassanschluss:Standardisierte Anschlüsse gewährleisten die Kompatibilität mit anderen Vakuumkomponenten.
    • Abluftgeschwindigkeiten 60 l/s für Stickstoff (55 l/s mit Schutznetz) weisen auf eine hohe Pumpleistung hin, die für die Aufrechterhaltung von Niederdruckbedingungen während der Abscheidung entscheidend ist.
  2. Mechanische und betriebliche Details

    • Keramische Lager mit Fettschmierung:Verbessert die Haltbarkeit und verringert die Reibung bei hohen Drehzahlen (69.000 U/min).
    • Gezwungene Luftkühlung:Verhindert Überhitzung bei längerem Betrieb.
    • Einschalt-/Stoppzeiten:1,5-2 Minuten (Einschalten) und 15-25 Minuten (Anhalten) spiegeln die Reaktionsfähigkeit des Systems und die Sicherheitsprotokolle wider.
  3. Leistungsmetriken

    • Verdichtungsverhältnisse: 2x10^7 für N2 und 3x10^3 für H2 gewährleisten eine effektive Gasförderung unter verschiedenen Prozessbedingungen.
    • Maximaler Gegendruck: 800Pa Grenze schützt das System vor Überdruckschäden.
    • Lebensdauer des Lagers: 20.000 Stunden bedeutet langfristige Zuverlässigkeit und reduziert die Wartungskosten.
  4. Integrierte Komponenten

    • TC75 Molekularpumpensteuerung:Ermöglicht eine präzise Kontrolle des Vakuumniveaus.
    • Zweistufige Drehschieberpumpe (160 l/min):Arbeitet zusammen mit der Molekularpumpe für eine effiziente Gasabsaugung.
  5. Breiterer Systemkontext

    • PECVD-Ausrüstung, einschließlich mpcvd-Maschine Bei der mpcvd-Anlage werden diese Vakuumsysteme häufig mit HF-verstärkten Reaktoren (z. B. Parallelplatten- oder Induktionsdesigns) zur gleichmäßigen Plasmaerzeugung kombiniert.
    • Funktionen wie die In-situ-Plasmareinigung und temperaturgesteuerte Waferstufen (20°C-1200°C) ergänzen die Rolle des Vakuumsystems bei der Erzielung hochreiner Abscheidungen.
  6. Überlegungen zur Anwendung

    • Die Spezifikationen des Vakuumsystems wirken sich direkt auf die Schichtqualität bei Anwendungen wie Solarzellen, MEMS und Barrierebeschichtungen aus.Niedrige Filmbildungstemperaturen (<400°C) ermöglichen zum Beispiel die Abscheidung auf hitzeempfindlichen Substraten.
  7. Wartung und Langlebigkeit

    • Die regelmäßige Überwachung der Lagerlebensdauer und der Gegendruckschwellen gewährleistet eine nachhaltige Leistung und entspricht den Industriestandards für Halbleiterfertigungswerkzeuge.

Durch das Verständnis dieser Spezifikationen können Käufer die Kompatibilität mit ihren Prozessanforderungen bewerten und ein Gleichgewicht zwischen Geschwindigkeit, Präzision und Betriebslebensdauer herstellen.Die Integration von robusten Vakuumsystemen mit fortschrittlichen PECVD-Reaktoren ist ein Beispiel für Technologien, die die moderne Mikroelektronik und Nanotechnologie leise gestalten.

Zusammenfassende Tabelle:

Spezifikation Einzelheiten
Anschluss-Konfigurationen KF40-Sauganschluss, G1-Zoll-Auslassanschluss
Abluftgeschwindigkeiten 60L/s (N₂), 55L/s (mit Schutznetz)
Lager & Kühlung Keramiklager (Fettschmierung), Zwangsluftkühlung, 69.000 U/min
Verdichtungsverhältnisse 2×10⁷ (N₂), 3×10³ (H₂)
Max. Gegendruck 800Pa
Lebensdauer des Lagers 20.000 Stunden
Start/Stop-Zeiten 1,5-2 min (Einschalten), 15-25 min (Ausschalten)
Integrierte Komponenten TC75 Molekularpumpensteuerung, zweistufige Drehschieberpumpe (160L/min)

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