CVD & PECVD Furnace

RF-PECVD-System Hochfrequenzplasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung

Name: RF-PECVD-System Hochfrequenzplasma-unterstützte chemische Gasphasenabscheidung
Brand: Kintek Furnace
SKU: KT-RFPE
Rating: 4.81 (11 reviews)

Artikelnummer : KT-RFPE

Preis variiert je nach Spezifikationen und Anpassungen

RF Leistung: 0-2000W
Endvakuum: 2×10-4 Pa
Abmessungen der Kammer: Ф420mm × 400 mm

Versand:

Kontaktieren Sie uns um Versanddetails zu erhalten. Genießen Sie Garantie für pünktliche Lieferung.

Beschreibung
Bewertungen
Downloads

Angebot Fordern Sie Ihr individuelles Angebot an 👋

E-Mail senden Anfrage

WhatsApp Angebot

Visuelles Schaufenster: RF PECVD-Anlage im Detail

RF PECVD-Dünnschichtabscheidung — RF PECVD-Dünnschichtaufwachsen

RF PECVD-Beschichtungstest 1 — RF PECVD-Beschichtung Beispiel

RF PECVD-Beschichtung — Ergebnis der RF-PECVD-Beschichtung

Präzise Dünnschichtabscheidung mit RF-PECVD-Systemen von KINTEK

Mit den RF-PECVD-Systemen (Radio Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) von KINTEK können verschiedene Labore modernste Dünnschichtabscheidungen vornehmen. Diese vielseitige Technik nutzt Plasma zur präzisen Abscheidung einer breiten Palette von Materialien, einschließlich Metallen, Dielektrika und Halbleitern, mit außergewöhnlicher Kontrolle über Schichtdicke, Zusammensetzung und Morphologie. Dank unserer herausragenden Forschung und Entwicklung sowie unserer eigenen Fertigung liefern wir fortschrittliche RF-PECVD-Lösungen, die auf Ihre individuellen experimentellen Anforderungen zugeschnitten sind.

Schlüsselanwendungen von RF-PECVD

RF-PECVD, eine revolutionäre Technik im Bereich der Dünnschichtabscheidung, findet in verschiedenen Branchen breite Anwendung, darunter

Herstellung von optischen Komponenten und Geräten
Herstellung von Halbleiterbauelementen
Herstellung von Schutzschichten
Entwicklung von Mikroelektronik und MEMS
Synthese von neuartigen Materialien

Erleben Sie unübertroffene Kontrolle und Effizienz

Unsere RF-PECVD-Systeme sind darauf ausgelegt, Ihre Forschungsergebnisse und Ihre Produktionseffizienz zu maximieren:

Hauptmerkmale:

Automatisierter Betrieb: Vereinfachen Sie Ihre Arbeitsabläufe mit Beschichtung auf Knopfdruck und Prozessspeicherung und -abruf für konsistente, wiederholbare Ergebnisse.
Intelligente Steuerung: Profitieren Sie von einer umfassenden Protokollierung des Prozessbetriebs, proaktiven Alarmfunktionen und einer präzisen Signal-/Ventilumschaltung für optimierte Beschichtungszyklen.
Zuverlässige Leistung: Das robuste Systemdesign mit einer hochintegrierten Vakuumkammer, einem effizienten Pumpsystem, einer stabilen HF-Quelle und einem Präzisionsgasmischsystem gewährleistet einen zuverlässigen, langfristigen Betrieb.

Wesentliche Vorteile:

Hervorragende Schichtqualität: Erzielen Sie eine hochwertige Schichtabscheidung, auch bei niedrigen Temperaturen, die für temperaturempfindliche Substrate geeignet sind.
Präzision und Gleichmäßigkeit: Profitieren Sie von der präzisen Steuerung der Schichtdicke und -zusammensetzung, mit gleichmäßiger und konformer Abscheidung auf komplexen Geometrien.
Saubere & effiziente Verarbeitung: Erleben Sie geringe Partikelkontamination und hochreine Schichten. Unsere Systeme sind als umweltfreundlicher Prozess mit minimalem Aufkommen an gefährlichen Abfällen konzipiert.
Skalierbare Lösungen: Die RF-PECVD-Systeme von KINTEK sind sowohl für die fortgeschrittene Forschung als auch für die skalierbare, kosteneffiziente Großserienproduktion konzipiert.

Robustes Systemdesign für optimale Leistung

Unsere RF-PECVD-Systeme sind sorgfältig konstruiert und bestehen aus einer Hochvakuumkammer, einem effizienten Vakuumpumpsystem, präzise gesteuerten Kathoden- und Anodentargets, einer stabilen RF-Stromquelle, einem fortschrittlichen aufblasbaren Gasmischsystem und einem benutzerfreundlichen Computer-Steuerschrank-System. Dieses integrierte Design ermöglicht die nahtlose Beschichtung mit nur einem Knopfdruck, Prozessspeicherung und -abruf, Alarmfunktionen, Signal- und Ventilumschaltung, umfassende Protokollierung der Prozessabläufe und zuverlässige Abscheidung hochwertiger Dünnschichten, wie z. B. diamantähnliche Kohlenstoffschichten (DLC) auf Germanium- und Siliziumsubstraten für Anwendungen im Infrarot-Wellenlängenbereich von 3-12 µm.

Technische Daten

Hauptteil der Ausrüstung

Form des Geräts	Box-Typ: die horizontale obere Abdeckung öffnet die Tür, und die Abscheidekammer und die Abluftkammer sind integral verschweißt; Die gesamte Maschine: der Hauptmotor und der elektrische Schaltschrank sind integriert (die Vakuumkammer befindet sich auf der linken Seite, der elektrische Schaltschrank auf der rechten Seite).
Vakuumkammer	Abmessungen: Ф420mm (Durchmesser) × 400 mm (Höhe); aus hochwertigem SUS304-Edelstahl 0Cr18Ni9, die Innenfläche ist poliert, feine Verarbeitung ist ohne grobe Lötstellen erforderlich, und es gibt Kühlwasserleitungen an der Kammerwand; Luftabzugsöffnung: Doppellagiges 304-Edelstahlgewebe mit 20 mm Abstand vorne und hinten, Antifouling-Schallwand auf dem hohen Ventilschaft und Luftausgleichsplatte an der Abgasrohrmündung, um Verschmutzung zu verhindern; Abdichtungs- und Abschirmungsmethode: Die obere Kammertür und die untere Kammer werden durch einen Dichtungsring abgedichtet, um das Vakuum zu versiegeln, und das Edelstahlnetzrohr wird außen verwendet, um die Hochfrequenzquelle zu isolieren und die durch Hochfrequenzsignale verursachten Schäden für Menschen abzuschirmen; Beobachtungsfenster: Zwei 120-mm-Beobachtungsfenster sind an der Vorderseite und an der Seite installiert, und das Antifouling-Glas ist resistent gegen hohe Temperaturen und Strahlung, was für die Beobachtung des Substrats praktisch ist; Luftströmungsmodus: Die linke Seite der Kammer wird von der Molekularpumpe gepumpt, und die rechte Seite ist die Luft, die aufgeblasen wird, um einen konvektiven Arbeitsmodus des Aufladens und Pumpens zu bilden, um sicherzustellen, dass das Gas gleichmäßig zur Zieloberfläche fließt und in den Plasmabereich eintritt, um den Kohlenstofffilm vollständig zu ionisieren und abzuscheiden; Material der Kammer: Der Körper der Vakuumkammer und die Abluftöffnung sind aus hochwertigem SUS304 Edelstahl (0Cr18Ni9) gefertigt, die obere Abdeckung besteht aus hochreinem Aluminium, um das Gewicht der Abdeckung zu reduzieren.
Host-Skelett	Hergestellt aus Profilstahl (Material: Q235-A), sind der Kammerkörper und der elektrische Schaltschrank integriert.
Wasser-Kühlsystem	Rohrleitung: Die Hauptzufuhr- und -abflussrohre für die Wasserverteilung sind aus Edelstahlrohren gefertigt; Kugelhahn: Alle Kühlkomponenten werden separat über 304-Kugelventile mit Wasser versorgt, und die Wassereinlass- und -auslassrohre sind farblich gekennzeichnet und entsprechend beschriftet, und die 304-Kugelventile für die Wasserauslassrohre können separat geöffnet und geschlossen werden; das Ziel, die HF-Stromversorgung, die Kammerwand usw. sind mit einem Wasserdurchflussschutz ausgestattet, und es gibt einen Wasserabschaltalarm, um zu verhindern, dass die Wasserleitung blockiert wird. Alle Wasserdurchflussalarme werden auf dem Industriecomputer angezeigt; Anzeige des Wasserdurchflusses: Die untere Scheibe verfügt über eine Wasserdurchfluss- und Temperaturüberwachung, und die Temperatur und der Wasserdurchfluss werden auf dem Industriecomputer angezeigt; Kalt- und Warmwassertemperatur: Wenn der Film an der Kammerwand abgelegt wird, wird kaltes Wasser um 10-25 Grad durchgelassen, um das Wasser abzukühlen, und es wird weitergegeben, wenn die Kammertür geöffnet wird. Heißes Wasser wird 30-55 Grad warmes Wasser durchlaufen.
Schaltschrank	Struktur: Vertikale Schränke werden verwendet, der Schaltschrank für die Instrumente ist ein 19-Zoll-Schaltschrank nach internationalem Standard, und der Schaltschrank für die anderen elektrischen Komponenten ist eine große Schalttafelstruktur mit einer Hintertür; Paneel: Die wichtigsten elektrischen Komponenten im Schaltschrank werden von Herstellern ausgewählt, die die CE-Zertifizierung oder die ISO9001-Zertifizierung erhalten haben. Installieren Sie eine Reihe von Steckdosen auf dem Paneel; Anschlussmethode: Der Schaltschrank und der Host befinden sich in einer gemeinsamen Struktur, die linke Seite ist der Raumkörper, die rechte Seite ist der Schaltschrank, und der untere Teil ist mit einem speziellen Kabelschlitz, Hoch- und Niederspannung ausgestattet, und das RF-Signal wird getrennt und geleitet, um Störungen zu reduzieren; Elektrische Niederspannung: Französischer Schneider-Luftschalter und Schütz, um eine zuverlässige Stromversorgung der Geräte zu gewährleisten; Steckdosen: Ersatzsteckdosen und Steckdosen für die Instrumentierung sind im Schaltschrank installiert.

Vakuum-System

Endvakuum	Atmosphäre bis 2×10-4 Pa≤24 Stunden, (bei Raumtemperatur, und die Vakuumkammer ist sauber).
Zeit zur Wiederherstellung des Vakuums	Atmosphäre bis 3×10 -3 Pa≤15 min (bei Raumtemperatur und sauberer Vakuumkammer, mit Leitblechen, Schirmständern und ohne Substrat).
Druckanstiegsrate	≤1,0×10 -1 Pa/h
Konfiguration des Vakuumsystems	Zusammensetzung des Pumpensets: Vorpumpe BSV30 (Ningbo Boss) + Wälzkolbenpumpe BSJ70 (Ningbo Boss) + Molekularpumpe FF-160 (Beijing); Pumpverfahren: Pumpen mit sanfter Pumpvorrichtung (um die Verschmutzung des Substrats während des Pumpens zu reduzieren); Rohrverbindung: Das Rohr des Vakuumsystems ist aus Edelstahl 304, und die weiche Verbindung des Rohrs ist aus; Metallfaltenbalg; jedes Vakuumventil ist ein pneumatisches Ventil; Luftansaugöffnung: Um zu verhindern, dass das Membranmaterial die Molekularpumpe während des Verdampfungsprozesses verschmutzt, und um die Pumpleistung zu verbessern, wird zwischen dem Luftansauganschluss des Kammerkörpers und dem Arbeitsraum eine bewegliche Isolierplatte verwendet, die leicht zu demontieren und zu reinigen ist.
Messung des Vakuumsystems	Vakuumanzeige: drei Tiefstwerte und ein Höchstwert (3 Gruppen der ZJ52-Regelung + 1 Gruppe der ZJ27-Regelung); Hochvakuummeter: Das Ionisationsmessgerät ZJ27 ist auf der Oberseite der Pumpkammer des Vakuumkastens in der Nähe der Arbeitskammer installiert, und der Messbereich beträgt 1,0×10 -1 Pa bis 5,0×10 -5 Pa; Niedervakuummessgeräte: ein Satz ZJ52-Messgeräte ist auf der Oberseite der Pumpkammer des Vakuumkastens installiert, und der andere Satz ist auf dem Rohpumprohr installiert. Der Messbereich beträgt 1,0×10 +5 Pa bis 5,0×10 -1 Pa; Arbeitsvorschrift: CDG025D-1 kapazitives Filmmessgerät ist auf dem Kammerkörper installiert, und der Messbereich ist 1,33×10 -1 Pa bis 1,33×10 +2 Pa, Vakuumerfassung während der Abscheidung und Beschichtung, verwendet in Verbindung mit konstantem Vakuum Drosselventil verwenden.
Betrieb des Vakuumsystems	Es gibt zwei Modi der manuellen und automatischen Vakuumauswahl; Japan Omron PLC steuert alle Pumpen, die Aktion des Vakuum-Ventils, und die Verriegelung Beziehung zwischen der Arbeit der Inflation Stop-Ventil, um sicherzustellen, dass die Ausrüstung kann automatisch im Falle einer Fehlbedienung geschützt werden; Hochventil, Niedrigventil, Vorventil, Hochventil-Bypass-Ventil, In-Position-Signal wird an SPS-Steuersignal gesendet, um eine umfassendere Verriegelungsfunktion zu gewährleisten; Das SPS-Programm kann die Alarmfunktion jedes Fehlerpunktes der gesamten Maschine, wie z.B. Luftdruck, Wasserdurchfluss, Türsignal, Überstromschutzsignal, usw. und Alarm ausführen, so dass das Problem schnell und bequem gefunden werden kann; Der 15-Zoll-Touchscreen ist der obere Computer, und die SPS ist der untere Computer zur Überwachung und Steuerung des Ventils. Online-Überwachung der einzelnen Komponenten und verschiedene Signale werden zurück an die industrielle Steuerung Konfigurationssoftware in der Zeit für die Analyse und Beurteilung gesendet und aufgezeichnet; Wenn das Vakuum abnormal ist oder der Strom abgeschaltet wird, sollte die Molekularpumpe des Vakuumventils in den geschlossenen Zustand zurückkehren. Das Vakuumventil ist mit einer Verriegelungsschutzfunktion ausgestattet, und der Lufteinlass jedes Zylinders ist mit einer Absperrventil-Einstellvorrichtung ausgestattet, und es gibt eine Position des Sensors, um den geschlossenen Zustand des Zylinders anzuzeigen;
Vakuumtest	Gemäß den allgemeinen technischen Bedingungen der GB11164-Vakuum-Beschichtungsmaschine.

Heizsystem

Heizmethode: Jod-Wolfram-Lampe Heizmethode;
Leistungsregler: digitaler Leistungsregler;
Heiztemperatur: Höchsttemperatur 200°C, Leistung 2000W/220V, kontrollierbares und einstellbares Display, ±2°C Regelung;
Anschlussmethode: schnelles Einstecken und schnelles Herausziehen, Metallabschirmung zum Schutz vor Verschmutzung und isolierte Stromversorgungsquelle, um die Sicherheit des Personals zu gewährleisten.

RF Hochfrequenz-Stromversorgung

Frequenz: RF-Frequenz 13,56MHZ;
Leistung: 0-2000W stufenlos einstellbar;
Funktion: vollautomatische Einstellung der Impedanzanpassungsfunktion, vollautomatische Einstellung, um die Reflexionsfunktion sehr niedrig zu halten, interne Reflexion innerhalb von 0,5%, mit manueller und automatischer Anpassungsfunktion der Konvertierung;
Anzeige: mit Vorspannung, CT-Kondensatorposition, RT-Kondensatorposition, eingestellter Leistung, Reflexionsfunktionsanzeige, mit Kommunikationsfunktion, Kommunikation mit Touchscreen, Einstellung und Anzeige von Parametern über Konfigurationssoftware, Tune-Line-Anzeige usw.

Kathoden-Anoden-Target

Anoden-Target: φ300mm Kupfersubstrat wird als Kathoden-Target verwendet, die Temperatur ist niedrig, wenn die Arbeit, und kein Kühlwasser benötigt wird;
Kathoden-Target: φ200mm Kupfer wassergekühlt Kathoden-Target, die Temperatur ist hoch, wenn die Arbeit, und das Innere ist Wasser gekühlt, um eine gleichmäßige Temperatur während der Arbeit zu gewährleisten, ist der maximale Abstand zwischen der Anode und der Kathode Ziel 100-250mm.

Kontrolle der Inflation

Durchflussmesser: Vier-Wege-Britisch-Durchflussmesser verwendet wird, ist die Durchflussmenge 0-200SCCM, mit Druckanzeige, Kommunikation Einstellungsparameter, und Gas-Typ eingestellt werden kann;
Absperrventil: Qixing Huachuang DJ2C-VUG6 Absperrventil, arbeitet mit dem Durchflussmesser, mischt das Gas, füllt es in die Kammer durch die ringförmige Inflation Gerät, und fließt gleichmäßig durch die Zielfläche;
Vorstufen-Gasspeicherflasche: hauptsächlich eine Spülumwandlungsflasche, die die C4H10-Flüssigkeit verdampft und dann in die Vorstufen-Rohrleitung des Durchflussmessers eintritt. Die Gasspeicherflasche ist mit einem DSP-Instrument mit digitaler Druckanzeige ausgestattet, das bei Überdruck und Unterdruck Alarmmeldungen ausgibt;
Pufferflasche für gemischtes Gas: Die Pufferflasche wird in der letzten Stufe mit vier Gasen gemischt. Nach dem Mischen wird das Gas aus der Pufferflasche bis zum Boden der Kammer und bis zum oberen Ende der Kammer ausgegeben, wobei eine der beiden Flaschen unabhängig voneinander geschlossen werden kann;
Aufblasvorrichtung: die einheitliche Gasleitung am Ausgang des Gaskreislaufs des Kammerkörpers, die gleichmäßig auf die Zieloberfläche aufgebracht wird, um die Beschichtung gleichmäßiger zu machen, ist besser.

Steuerungssystem

Touchscreen: TPC1570GI Touchscreen als Host-Computer + Tastatur und Maus;
Steuersoftware: tabellarische Prozessparameter-Einstellung, Alarm-Parameter-Anzeige, Vakuum-Parameter-Anzeige und Kurven-Anzeige, RF-Stromversorgung und DC-Gleichstrom-Stromversorgung Parameter-Einstellung und Anzeige, alle Ventil und Schalter arbeiten Zustand Aufzeichnungen, Prozess-Aufzeichnungen, Alarm-Aufzeichnungen, Vakuum-Aufnahme-Parameter, kann für etwa ein halbes Jahr gespeichert werden, und der Prozess Betrieb der gesamten Anlage ist in 1 Sekunde, um die Parameter zu speichern;
SPS: Omron PLC wird als unterer Computer verwendet, um Daten von verschiedenen Komponenten und Positionsschaltern, Steuerventilen und verschiedenen Komponenten zu sammeln, und dann Dateninteraktion, Anzeige und Steuerung mit Konfigurationssoftware durchzuführen. Dies ist sicherer und zuverlässiger;
Kontrollstatus: Ein-Knopf-Beschichtung, automatisches Absaugen, automatisches konstantes Vakuum, automatisches Aufheizen, automatischer Mehrschichtprozess, automatischer Abschluss der Abholung und andere Arbeiten;
Vorteile von Touchscreen: Touchscreen-Steuerungssoftware kann nicht geändert werden, stabiler Betrieb ist bequemer und flexibler, aber die Menge der gespeicherten Daten ist begrenzt, Parameter können direkt exportiert werden, und wenn es ein Problem mit dem Prozess;
Alarm: Nehmen Sie den Ton und Licht-Alarm-Modus, und zeichnen Sie den Alarm in der Konfiguration Alarm-Parameter-Bibliothek. Die gespeicherten Daten können jederzeit abgefragt und abgerufen werden.

Konstantes Vakuum

Drosselklappe mit konstantem Vakuum: Die DN80-Drosselklappe arbeitet mit dem kapazitiven Filmmessgerät CDG025 von Inficon zusammen, um ein konstantes Vakuum zu erzeugen. Der Nachteil ist, dass der Ventilanschluss leicht verschmutzt werden kann und schwer zu reinigen ist;
Ventilstellungsmodus: Stellen Sie den Positionskontrollmodus ein.

Wasser, Strom, Gas

Die Hauptein- und -auslassleitungen sind aus rostfreiem Stahl gefertigt und mit Notwassereinlässen ausgestattet;
Alle wassergekühlten Rohre außerhalb der Vakuumkammer sind mit Schnellwechselverbindungen aus rostfreiem Stahl und Hochdruck-Kunststoffrohren ausgestattet (hochwertige Wasserrohre, die lange Zeit verwendet werden können, ohne undicht zu werden oder zu brechen), und die Wassereinlass- und -auslass-Hochdruck-Wasserrohre aus Kunststoff sollten in zwei verschiedenen Farben dargestellt und entsprechend gekennzeichnet sein; Marke Airtek;
Alle wassergekühlten Rohre im Inneren der Vakuumkammer sind aus hochwertigem SUS304-Material gefertigt;
Die Wasser- und Gaskreisläufe sind jeweils mit sicheren und zuverlässigen, hochpräzisen Anzeigeinstrumenten für Wasserdruck und Luftdruck ausgestattet.
Ausgestattet mit einem 8P-Kühler für den Wasserfluss der Kohlenstoff-Filmmaschine.
Ausgestattet mit einem Satz von 6KW Heißwassermaschine, wenn die Tür geöffnet wird, fließt heißes Wasser durch den Raum.

Anforderungen an den Sicherheitsschutz

Die Maschine ist mit einer Alarmvorrichtung ausgestattet;
Wenn der Wasser- oder Luftdruck nicht die angegebene Durchflussmenge erreicht, sind alle Vakuumpumpen und -ventile geschützt und können nicht gestartet werden; es ertönt ein Alarmton und eine rote Signallampe leuchtet auf;
Wenn die Maschine im normalen Betrieb ist und der Wasser- oder Luftdruck plötzlich nicht mehr ausreicht, werden alle Ventile automatisch geschlossen, und ein Alarmton und eine rote Signallampe erscheinen;
Bei einer Störung des Betriebssystems (Hochspannung, Ionenquelle, Kontrollsystem) ertönt ein Alarmton und eine rote Signallampe leuchtet auf;
Die Hochspannung wird eingeschaltet, und es gibt eine Schutzalarmvorrichtung.

Anforderungen an die Arbeitsumgebung

Umgebungstemperatur: 10～35℃;
Relative Luftfeuchtigkeit: nicht mehr als 80%;
Die Umgebung des Geräts ist sauber und die Luft ist rein. Es sollte kein Staub oder Gas vorhanden sein, das die Korrosion von elektrischen Geräten und anderen Metalloberflächen oder die elektrische Leitung zwischen Metallen verursachen kann.

Leistungsanforderungen der Ausrüstung

Wasserquelle: industrielles Weichwasser, Wasserdruck 0,2~0,3Mpa, Wassermenge~60L/min, Wassereinlasstemperatur≤25°C; Wasserleitungsanschluss 1,5 Zoll;
Luftquelle: Luftdruck 0,6MPa;
Stromversorgung: dreiphasiges Fünf-Leiter-System 380V, 50Hz, Spannungsschwankungsbereich: Netzspannung 342 ~ 399V, Phasenspannung 198 ~ 231V; Frequenzschwankungsbereich: 49 ~ 51Hz; Leistungsaufnahme des Geräts: ~ 16KW; Erdungswiderstand ≤ 1Ω;
Hebeanforderungen: selbst bereitgestellter 3-Tonnen-Kran, Hebetür nicht weniger als 2000X2200mm

Sind Sie bereit, Ihre Forschung voranzutreiben? Partnerschaft mit KINTEK.

Wir bei KINTEK verstehen, dass jedes Experiment einzigartig ist. Dank unserer ausgeprägten Fähigkeit zur kundenspezifischen Anpassung können wir unsere RF-PECVD-Systeme auf Ihre spezifischen Anforderungen zuschneiden. Ganz gleich, ob Sie Modifikationen an Standardmodellen oder eine komplett maßgeschneiderte Lösung benötigen, unsere F&E- und Fertigungsexpertise gewährleistet, dass Sie die perfekte Lösung für Ihr Labor erhalten.

Besprechen Sie Ihr Projekt noch heute mit unseren Experten. Füllen Sie unser Kontakt-Formular und lassen Sie uns gemeinsam herausfinden, wie KINTEK Ihre Fähigkeiten zur Dünnschichtabscheidung verbessern kann.

FAQ

Was Ist Das Prinzip Einer MPCVD-Anlage?

Eine MPCVD-Anlage (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) arbeitet mit einem Mikrowellengenerator, der durch Ionisierung eines Gasgemischs ein Plasma erzeugt. Dieses Plasma wird unter niedrigem Druck in einer Reaktionskammer untergebracht, in der das Substrat von einem Substrathalter gehalten wird. Zu den wichtigsten Komponenten gehören ein Mikrowellengenerator, eine Plasmakammer, ein Gaszufuhrsystem, ein Substrathalter und ein Vakuumsystem.

Wofür Wird Eine PECVD-Anlage Verwendet?

Eine PECVD-Maschine (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) wird in großem Umfang bei der Verarbeitung von Silizium und ähnlichen Materialien, in der Nanotechnologie, der Solarzellenproduktion und der Elektronik eingesetzt. Sie ist entscheidend für die Abscheidung dünner Schichten in Solarzellen und die Herstellung hochwertiger Komponenten für elektronische Geräte. Zu den Anwendungen gehören die Herstellung elektronischer Geräte (Isolierung von leitenden Schichten, Kondensatoren, Oberflächenpassivierung), Halbleiterbauelemente, druckbare Elektronik und der Schutz medizinischer Geräte.

Was Ist Das Prinzip Einer CVD-Anlage?

Beim Prinzip der chemischen Gasphasenabscheidung (Chemical Vapor Deposition, CVD) wird der Dampf gasförmiger oder flüssiger Reaktanten, die Filmelemente und andere notwendige Gase enthalten, in eine Reaktionskammer eingeleitet. Durch Zufuhr von Energie in Form von erhöhter Temperatur, Plasmaeinwirkung, Lichtstrahlung oder anderen Mitteln kommt es auf der Substratoberfläche zu chemischen Reaktionen, bei denen neue feste Stoffe entstehen, die sich als dünne Schichten abscheiden. Das Funktionsprinzip eines CVD-Ofens besteht darin, dass Vorläufergase in die Ofenkammer eingeleitet werden, wo diese Gase bei hohen Temperaturen in der Nähe der Substratoberfläche reagieren oder sich zersetzen. Das gewünschte Material scheidet sich als fester Film auf dem Substrat ab, während Nebenprodukte und ungenutzte Gase durch ein Abluft- oder Vakuumsystem abgeleitet werden.

Was Sind Die Vorteile Einer MPCVD-Anlage?

MPCVD-Anlagen bieten mehrere Vorteile: Sie verhindern die Verunreinigung durch heiße Drähte (unpolare Entladung), ermöglichen die Verwendung mehrerer Gase, bieten eine stabile Steuerung der Reaktionstemperatur, ermöglichen großflächige stabile Plasmaentladungen und bieten eine präzise Steuerung der Schichtdicke, Reinheit und Kristallqualität. Darüber hinaus produzieren sie großflächige Diamantfilme, gewährleisten stabile Bedingungen, erhalten eine gleichbleibende Probenqualität und sind kostengünstig.

Was Sind Die Wichtigsten Typen Von PECVD-Anlagen?

PECVD-Maschinen gibt es in verschiedenen Ausführungen, darunter geneigte Rotations-PECVD-Röhrenöfen, CVD-Röhrenöfen mit geteilter Kammer und Vakuumstationen, RF-PECVD-Systeme und MPCVD-Maschinensysteme mit zylindrischem Resonator. Jeder Typ ist für bestimmte Anwendungen wie Halbleiterforschung, Dünnschichtabscheidung und Diamantwachstum im Labor ausgelegt.

Welche Vorteile Bietet Die Verwendung Einer CVD-Anlage?

Das CVD-Verfahren bietet eine hohe Reinheit, Gleichmäßigkeit und Konformität, so dass es sich für die Beschichtung komplexer Geometrien eignet. Es wird in Branchen wie der Halbleiterindustrie, der Luft- und Raumfahrt und der Biomedizin eingesetzt. Im Gegensatz zu PVD ist CVD nicht auf die Sichtlinie beschränkt, und die Beschichtung verbindet sich während der Reaktion mit der Oberfläche, wodurch eine hervorragende Haftung entsteht.

Was Sind Die Wichtigsten Anwendungen Von MPCVD-Maschinen?

MPCVD-Anlagen werden in erster Linie für die Synthese von hochreinem, im Labor gezüchtetem Diamant, einschließlich Diamantfilmen und anderen fortschrittlichen Materialien, eingesetzt. Ihre Anwendungen erstrecken sich auf die Halbleiterforschung, die Optik und MEMS (mikroelektromechanische Systeme), da sie in der Lage sind, hochwertige, homogene Schichten mit präziser Kontrolle herzustellen.

Wie Funktioniert Eine PECVD-Anlage?

Bei einer PECVD-Anlage wird das Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung durch den Einsatz eines Plasmas verbessert. Abscheideraten und Schichteigenschaften (z. B. Dicke, Härte, Brechungsindex) werden durch die Einstellung von Parametern wie Gasdurchsatz, Betriebstemperatur und Plasmabedingungen gesteuert. Das Plasma ermöglicht die Feinabstimmung von Materialeigenschaften wie Dichte, Reinheit und Rauheit, so dass hochwertige dünne Schichten bei niedrigeren Substrattemperaturen erzeugt werden können.

Was Sind Die Anwendungen Einer CVD-Maschine?

CVD wird für verschiedene Anwendungen eingesetzt, darunter die Herstellung von Halbleiterbauelementen (z. B. Isolierschichten aus Siliziumnitrid), optischen Beschichtungen, Schutzschichten und modernen Materialien wie Graphen und Kohlenstoff-Nanoröhren, die einzigartige elektrische, thermische und mechanische Eigenschaften aufweisen. Es wird auch eingesetzt, um konforme Schichten abzuscheiden und Substratoberflächen auf eine Weise zu verändern, die mit herkömmlichen Techniken nicht möglich ist. Zu den Anwendungen gehören die Abscheidung von Atomschichten, integrierte Schaltkreise, photovoltaische Geräte, verschleißfeste Beschichtungen, Polymerbeschichtungen mit besonderen Eigenschaften, metallorganische Gerüste für die Gassensorik und Membranbeschichtungen für die Wasseraufbereitung.

Was Sind Die Hauptbestandteile Einer MPCVD-Anlage?

Zu den Hauptbestandteilen einer MPCVD-Anlage gehören ein Mikrowellengenerator (zur Erzeugung des Plasmas), eine Reaktionskammer (zur Aufnahme des Substrats und des Gasgemischs unter niedrigem Druck), ein Substrathalter (zum Halten des Substrats während der Abscheidung), ein Gaszufuhrsystem (zum Einleiten und Steuern des Gasgemischs) und ein Vakuumsystem (zur Aufrechterhaltung der erforderlichen Niederdruckumgebung).

Was Sind Die Wichtigsten Merkmale Einer PECVD-Anlage?

Zu den wichtigsten Merkmalen einer PECVD-Anlage gehören eine universelle Basiskonsole mit elektronischen Untersystemen, eine PECVD-Prozesskammer mit einem Pumpanschluss, beheizte obere und untere Elektroden, Software für die Parameteranpassung und ein Gasbehälter mit massenflussgesteuerten Gasleitungen. Das System umfasst in der Regel eine Kammer, Vakuumpumpe(n) und ein Gasverteilungssystem, wobei die Konfigurationen je nach Stromquelle, Gasart und Drucksensoren variieren.

Was Sind Die Wichtigsten Merkmale Einer CVD-Anlage?

Zu den wichtigsten Merkmalen eines CVD-Ofens gehören hohe Temperaturen (in der Regel von 200 °C bis über 1500 °C), eine präzise Steuerung des Gasflusses, eine kontrollierte Atmosphäre (Vakuum, Atmosphärendruck oder Niederdruck), eine gleichmäßige Erwärmung für eine gleichmäßige Dünnschichtabscheidung und ein effizientes Abgassystem zur Entfernung von Nebenprodukten und nicht umgesetzten Gasen. Zu den wichtigsten Merkmalen eines CVD-Beschichtungsprozesses gehört die Anwendung bei erhöhten Temperaturen, um die Reaktion zu erleichtern, in der Regel unter Vakuum. Verunreinigungen müssen vor der Beschichtung von der Oberfläche des Teils entfernt werden.

Wie Verbessert Eine MPCVD-Anlage Die Energieeffizienz?

Eine MPCVD-Anlage steigert die Energieeffizienz durch ihren elektrodenlosen Prozess, der Verunreinigungen und Energieverluste reduziert. Die Erzeugung des Mikrowellenplasmas ist hocheffizient, und der modulare und skalierbare Aufbau des Systems ermöglicht eine optimierte Energienutzung für verschiedene industrielle Anwendungen.

Welche Vorteile Bietet Die Verwendung Einer PECVD-Anlage?

PECVD-Anlagen bieten eine Reihe von Vorteilen, darunter schnelle Abscheidungsraten (z. B. 160-mal schneller für Siliziumnitrid im Vergleich zur CVD), die Möglichkeit, durch Anpassung der Plasmaparameter und der Gaszusammensetzung Schichten mit unterschiedlichen Eigenschaften zu erzeugen, qualitativ hochwertige und gleichmäßig dicke Schichten, gute Haftung, geringere Gefahr der Rissbildung und Eignung für komplexe Oberflächen. Außerdem bieten sie eine hohe Lösungsmittel- und Korrosionsbeständigkeit sowie chemische und thermische Stabilität.

Welche Arten Von CVD-Anlagen Gibt Es?

Es gibt verschiedene Arten von CVD-Anlagen, darunter zylindrische Resonator-MPCVD-Maschinensysteme für das Diamantwachstum im Labor, maßgeschneiderte, vielseitige CVD-Röhrenöfen für die chemische Gasphasenabscheidung, PECVD-Röhrenöfen mit Flüssigkeitsbegasern, Vakuum-Heißpressenöfen, geneigte Rotations-Röhrenöfen für die plasmaunterstützte chemische Abscheidung (PECVD), CVD-Röhrenöfen mit geteilter Kammer und Vakuumstationen sowie RF-PECVD-Systeme für die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung im Hochfrequenzbereich. Jeder Typ ist für bestimmte Anwendungen konzipiert und bietet einzigartige Merkmale.

Warum Wird MPCVD Für Das Wachstum Von Diamanten Bevorzugt?

Das MPCVD-Verfahren wird für das Diamantwachstum bevorzugt, da es eine hohe Dichte geladener Teilchen und reaktiver Spezies bietet, die Abscheidung großflächiger Diamantschichten bei niedrigeren Drücken ermöglicht und eine bessere Homogenität der gewachsenen Schichten gewährleistet. Diese Merkmale führen zu hochreinen, qualitativ hochwertigen Diamanten mit präziser Kontrolle über ihre Eigenschaften.

Welche Materialien Können Mit Einer PECVD-Anlage Abgeschieden Werden?

Mit PECVD-Anlagen kann eine Vielzahl von Materialien abgeschieden werden, darunter Siliziumnitrid (SiN) und Siliziumkarbid (SiC), die besonders für Halbleiter- und Hochtemperatur-MEMS-Anwendungen geeignet sind. Diese Maschinen sind vielseitig und können zur Herstellung von Dünnschichten mit maßgeschneiderten Eigenschaften für spezifische Industrie- und Forschungsanforderungen eingesetzt werden.

Warum Ist PECVD Anderen Abscheidungsmethoden Vorzuziehen?

Die PECVD-Methode ist anderen Abscheidungsmethoden vorzuziehen, da sie die Abscheidung bei niedrigeren Substrattemperaturen ermöglicht, eine gute Stufenabdeckung bietet und eine sehr gleichmäßige Schichtabscheidung ermöglicht. Außerdem lassen sich Materialeigenschaften wie Brechungsindex, Spannung und Härte hervorragend steuern, so dass es sich ideal für Anwendungen eignet, die präzise Dünnschichteigenschaften erfordern.

Weitere FAQs zu diesem Produkt anzeigen