Der Druckbereich für CVD-Systeme reicht von Atmosphärendruck (760 Torr) bis hin zu Hochvakuum (<5 mTorr), das durch mechanische Pumpen und Drosselventilsteuerung erreicht wird.Diese Systeme sind vielseitig einsetzbar, von der Elektronik bis zur Luft- und Raumfahrt, mit präzisem Gasflussmanagement (0-500 sccm) und Temperaturregelung bis zu 1700°C je nach Rohrmaterial.Mit ihren Vakuumfähigkeiten fallen sie in die Kategorie der Hochvakuumöfen (10^-3 bis 10^-6 Torr), die sich für verschiedene Materialverarbeitungsanforderungen eignen.
Die wichtigsten Punkte werden erklärt:
-
Druckbereich & Kontrollmechanismus
- Funktioniert von 0-760 Torr (Atmosphärendruck bis Fast-Vakuum)
- Verwendet ein Drosselventil für einstellbare Druckregelung
- Grundvakuum von <5 mTorr wird durch mechanische Pumpen erreicht
- Klassifiziert als Hochvakuum-Ofensysteme (10^-3 bis 10^-6 Torr Bereich)
-
Temperatur- und Rohrmaterialkompatibilität
- Quarzglas-Röhren:Max 1200°C (ideal für Standard-CVD-Verfahren)
- Tonerde-Rohre:Erstreckt sich auf 1700°C für Hochtemperaturanwendungen
- Die Wahl hängt von der Materialkompatibilität ab (z. B. Graphen vs. Keramikbeschichtungen)
-
Gasfluss & Prozesskontrolle
- Zwei Gaskanäle (Ar/H₂) mit 0-500 sccm Durchflussraten
- Massendurchflussregler gewährleisten eine präzise Zufuhr von Reagenzien
- Computergesteuerte Systeme sorgen für eine gleichmäßige Wärmeverteilung
-
Industrielle Anwendungen
- Elektronik:Halbleiterwafer-Beschichtungen
- Energie:Antireflexionsschichten für Solarzellen
- Fortschrittliche Materialien:Graphenproduktion für Displays/Wasserfiltration
-
Flexibles Design
- Geeignet für 1-Zoll- und 2-Zoll-Quarzrohre
- Unterstützt die Stapelverarbeitung von harten Legierungen/Keramiken durch Vakuumsintern
Haben Sie sich jemals gefragt, wie diese präzisen Druckbereiche nanometerdünne Beschichtungen auf Ihren Smartphone-Bildschirmen ermöglichen? Die Synergie zwischen Vakuumsteuerung und Temperaturstabilität ermöglicht es CVD-Anlagen, Materialien Atom für Atom abzuscheiden und damit die Industrie von der Unterhaltungselektronik bis zur nachhaltigen Energie zu revolutionieren.
Zusammenfassende Tabelle:
| Merkmal | Spezifikation |
|---|---|
| Druckbereich | 0-760 Torr (Atmosphärendruck bis Fast-Vakuum) |
| Grundvakuum | <5 mTorr (Hochvakuum-Ofenkategorie) |
| Temperaturbereich | Bis zu 1700°C (abhängig vom Rohrmaterial) |
| Gasfluss-Steuerung | 0-500 sccm (zwei Gaskanäle) |
| Anwendungen | Elektronik, Energie, moderne Materialien |
| Flexibles Design | Unterstützt 1-Zoll- und 2-Zoll-Quarzrohre |
Erschließen Sie das Potenzial der präzisen Materialverarbeitung mit den fortschrittlichen CVD-Systemen von KINTEK! Ganz gleich, ob Sie Halbleiterwafer beschichten oder Graphen herstellen wollen, unsere Hochvakuumöfen bieten Ihnen eine beispiellose Kontrolle und individuelle Anpassung.Dank unserer internen F&E- und Fertigungskompetenz bieten wir maßgeschneiderte Lösungen für Ihre individuellen experimentellen Anforderungen. Kontaktieren Sie uns noch heute um zu besprechen, wie unsere CVD-Systeme die Möglichkeiten Ihres Labors erweitern können!
Produkte, nach denen Sie vielleicht suchen:
Entdecken Sie Diamantabscheidungssysteme für die Spitzenforschung
Entdecken Sie langlebige Heizelemente für Hochtemperaturanwendungen
Rüsten Sie Ihren Ofen mit Hochleistungsheizelementen aus MoSi2 auf
Optimieren Sie Ihr Labor mit einem CVD-Ofen mit geteilten Kammern
Verbessern Sie die Dünnschichtabscheidung mit rotierender PECVD-Technologie
